[发明专利]一种控制闪存浮栅尖端的方法在审
| 申请号： | 201610890612.1 | 申请日： | 2016-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN106449646A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 孙访策;李志国;杨勇;黄冲;邬镝 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11517 | 分类号： | H01L27/11517;H01L21/66;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种控制闪存浮栅尖端的方法，包括：针对具有不同版图密度的不同产品使用不同的湿法蚀刻时间进行湿法蚀刻；对湿法蚀刻之后的产品进行自对准干法蚀刻处理；对自对准干法蚀刻处理之后的产品进行扫描式电子显微镜样本的切片；测量样本的浮栅尖端高度，得到版图密度、湿法蚀刻时间与浮栅尖端高度之间的关系的统计结果；利用统计结果，分别以版图密度和浮栅尖端高度为坐标轴作图，得到多组线性关系拟合曲线；利用多组线性关系拟合曲线，确定版图密度引起的浮栅尖端高度变化。由此，本发明提供了一种方法，根据该方法获得的相关性，可以快速地确定湿法蚀刻的工艺条件，使得湿法蚀刻补偿干蚀刻工艺的负载效应的设想成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 闪存 尖端 方法 | ||
【主权项】：
一种控制闪存浮栅尖端的方法，其特征在于包括：第一步骤：针对具有不同版图密度的不同产品使用不同的湿法蚀刻时间进行湿法蚀刻；第二步骤：对湿法蚀刻之后的产品进行自对准干法蚀刻处理；第三步骤：对自对准干法蚀刻处理之后的产品进行扫描式电子显微镜样本的切片；第四步骤：测量样本的浮栅尖端高度，得到版图密度、湿法蚀刻时间与浮栅尖端高度之间的关系的统计结果；第五步骤：利用统计结果，分别以版图密度和浮栅尖端高度为坐标轴作图，得到多组线性关系拟合曲线；第六步骤：利用多组线性关系拟合曲线，确定版图密度引起的浮栅尖端高度变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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