[发明专利]暂时粘着方法以及薄型晶片的制造方法有效
申请号: | 201610878936.3 | 申请日: | 2016-10-08 |
公开(公告)号: | CN106992133B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 安田浩之;菅生道博;田边正人 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;C08G77/38 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李英艳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种暂时粘着方法,隔着暂时粘着材料将晶片暂时粘着至支撑体上,使用具备复合暂时粘着材料层的晶片加工用暂时粘着材料作为所述材料。所述材料层具有:热塑性树脂层(A),在25℃时储存弹性模量E’是1~500MPa,拉伸断裂强度是5~50MPa;热固化性聚合物层(B),在25℃时固化后的E’是1~1000MPa,拉伸断裂强度是1~50MPa。所述方法包含:贴合步骤,将在表面使用液状组合物(A’)形成层(A)的晶片和通过层压薄膜状树脂(B’)形成层(B)的支撑体在减压下加热贴合,或将在表面形成层(A)且在层(A)上形成层(B)的晶片与所述支撑体在减压下加热贴合;热固化步骤,使所述层(B)热固化。 | ||
搜索关键词: | 暂时 粘着 方法 以及 晶片 制造 | ||
【主权项】:
一种暂时粘着方法,所述方法是隔着晶片加工用暂时粘着材料将晶片暂时粘着至支撑体上的方法,所述晶片在表面具有电路面且背面需加工,所述方法的特征在于,作为所述晶片加工用暂时粘着材料,使用具备复合暂时粘着材料层的晶片加工用暂时粘着材料,所述复合暂时粘着材料层具有第一暂时粘着层与第二暂时粘着层的二层结构,所述第一暂时粘着层是由热塑性树脂层(A)构成,在25℃时的储存弹性模量E’是1~500MPa,拉伸断裂强度是5~50MPa,所述第二暂时粘着层是由热固化性聚合物层(B)构成,在25℃时的固化后的储存弹性模量E’是1~1000MPa,拉伸断裂强度是1~50MPa;并且,所述暂时粘着方法,包含下述贴合步骤以及粘着步骤:所述贴合步骤,将在所述晶片的表面上形成有所述热塑性树脂层(A)的晶片以及在所述支撑体上形成有所述热固化性聚合物层(B)的支撑体,在减压下加热而贴合,所述热塑性树脂层(A)是通过使用包含热塑性树脂的液状组合物(A’)而形成在所述晶片的表面上,所述热固化性聚合物层(B)是通过层压薄膜状树脂(B’)而形成在所述支撑体上,所述薄膜状树脂(B’)是将包含热固化性聚合物的组合物形成为薄膜状而成;或者,将形成有所述热塑性树脂层(A)和所述热固化性聚合物层(B)的晶片,与所述支撑体在减压下加热而贴合,所述热塑性树脂层(A)是通过使用所述液状组合物(A’)而形成在所述晶片的表面上,所述热固化性聚合物层(B)是通过层压所述薄膜状树脂(B’)而形成在所述树脂层(A)上;所述粘着步骤,使所述热固化性聚合物层(B)热固化,而使所述热塑性树脂层(A)与所述热固化性聚合物层(B)粘着。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社,未经信越化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610878936.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造