[发明专利]五段式InP基单片集成可调谐斜腔激光器芯片及其制作方法

摘要

本发明提供了一种五段式InP基单片集成可调谐斜腔激光器芯片及其制作方法，包括以下步骤选择一磷化铟衬底；在磷化铟衬底上生长一次外延结构，包括缓冲层、四元下波导层、多量子阱层、四元上波导层、腐蚀停止层、光栅层；在一次外延结构上刻蚀光栅调谐区和相位匹配区并对接生长无源波导层；在无源波导层上用二氧化硅掩膜选区制作部分光栅并掩埋；在一次外延结构上刻蚀电吸收外调制区并对接生长电吸收外调制层的下波导层、多量子阱层与上波导层并掩埋；在芯片上制作倾斜脊波导并掩埋生长光限制层与电接触层；在电接触层上制作P面电极，在芯片背面制作N面电极；镀膜并解理成单个芯片，完成该激光器芯片的制作。

主权项

一种五段式InP基单片集成可调谐斜腔激光器芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：选择一磷化铟衬底；在磷化铟衬底上MOCVD外延生长一次外延结构，由底层向上依次包括缓冲层、四元下波导层、多量子阱层、四元上波导层、腐蚀停止层、光栅层；在一次外延结构上用二氧化硅掩膜选区干湿法结合刻蚀光栅调谐区和相位匹配区并对接生长无源波导层；在无源波导层上用二氧化硅掩膜选区制作部分光栅并掩埋；在一次外延结构上用二氧化硅掩膜选区干湿法结合刻蚀电吸收外调制区并对接生长电吸收外调制层的下波导层、多量子阱层与上波导层并掩埋；在芯片上制作倾斜脊波导并掩埋生长光限制层与电接触层；在电接触层上制作P面电极，在芯片背面制作N面电极；镀膜并解理成单个芯片，完成该激光器芯片的制作。