[发明专利]太阳能电池背钝化膜层结构和制备方法

摘要

本发明提供一种太阳能电池背钝化膜层结构，其主要改进之处在于，在太阳能电池衬底背表面依次形成有氧化铝膜、第一氮化硅膜和第二氮化硅膜，形成多层背钝化膜叠层结构；其中，氧化铝膜膜厚范围10‑40nm；折射率1.55‑1.70；第一氮化硅膜膜厚范围40‑100nm；折射率1.90‑2.20；第二氮化硅膜膜厚范围40‑100nm；折射率1.90‑2.20。最佳地，氧化铝膜膜厚20nm；折射率1.62；第一氮化硅膜膜厚范围75nm；折射率2.10；第二氮化硅膜膜厚范围75nm；折射率2.00。本发明提高了太阳能电池的转换效率。

主权项

一种太阳能电池背钝化膜层结构的制备方法，其特征在于，在太阳能电池衬底(1)背表面依次形成有氧化铝膜(2)、第一氮化硅膜(3)和第二氮化硅膜(4)，形成多层背钝化膜叠层结构；其中，氧化铝膜(2)膜厚范围15‑30nm；折射率1.60‑1.65；第一氮化硅膜(3)膜厚范围50‑90nm；折射率2.05‑2.15；第二氮化硅膜(4)膜厚范围50‑90nm；折射率1.95‑2.05；包括下述步骤：步骤S1，采用一种PECVD设备在衬底背表面沉积氧化铝膜(2)，衬底温度300‑400℃，功率2000‑3000W，通入TMA与N2O气体，TMA与N2O流量比1:5‑1:10，气压0.10‑0.20mbar；步骤S2，然后采用另一种PECVD设备在氧化铝膜(2)上沉积第一氮化硅膜(3)，衬底温度400‑500℃，功率5000‑7000W，通入SiH4与NH3气体，SiH4与NH3流量比1:5‑1:10；气压100‑300pa；步骤S3，随后采用步骤S2中相同设备继续沉积第二氮化硅膜(3)，衬底温度400‑500℃，功率5000‑7000W，通入SiH4与NH3气体，SiH4与NH3流量比1:10‑1:15；气压100‑300pa。