[发明专利]嵌段共聚物以及使用其制造集成电路器件的方法有效

专利信息
申请号: 201610831961.6 申请日: 2016-09-19
公开(公告)号: CN106977673B 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 权承哲;朴贞珠;李时镛;金垠成;李京美;方畯昰;禹尚勋 申请(专利权)人: 三星电子株式会社;高丽大学校产学协力团
主分类号: C08F293/00 分类号: C08F293/00;C08F220/14;C08F212/14
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 金拟粲
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及嵌段共聚物以及使用其制造集成电路器件的方法。嵌段共聚物包括具有不同结构的第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段,且所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段之一具有卤素取代的结构。
搜索关键词: 共聚物 以及 使用 制造 集成电路 器件 方法
【主权项】:
嵌段共聚物,包括具有不同结构的第一聚合物嵌段和第二聚合物嵌段,所述第一聚合物嵌段和所述第二聚合物嵌段之一具有卤素取代的结构。
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