[发明专利]一种制备微流控芯片模板的方法在审
| 申请号： | 201610827921.4 | 申请日： | 2016-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN106154746A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吴志刚;刘振华;徐文超;张硕;彭鹏;张攀;邓杰 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 李佑宏 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备微流控芯片模板的方法，其包括如下步骤：S1将光刻胶涂覆在平面基底上，光刻胶的涂覆厚度为1微米～100微米；S2对涂覆在平面基底的光刻胶进行前烘处理，以挥发掉光刻胶内部的溶剂，从而使光刻胶固化而表面变得平整；S3将设计好的微流控芯片模板的图案发送到紫外激光器中，紫外激光在激光器中聚焦成一束光斑，根据设计好的图案驱动光斑移动对步骤S2中覆盖在基底上的光刻胶直接进行曝光；S4清洗掉不需要的光刻胶，获得微流控芯片模板。本发明方法通过激光直写技术和光刻技术，快速灵活地加工微流控芯片模板，从而能降低芯片的加工成本，缩短芯片加工周期。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 微流控 芯片 模板 方法 | ||
【主权项】：
一种制备微流控芯片模板的方法，其特征在于，其包括如下步骤：S1：将光刻胶涂覆在平面基底上，光刻胶的涂覆厚度为1微米～100微米；S2：对涂覆在平面基底的光刻胶进行前烘处理，以挥发掉光刻胶内部的溶剂，从而使光刻胶固化而表面变得平整；S3：将设计好的微流控芯片模板的图案发送到紫外激光器中，紫外激光在激光器中聚焦成一束光斑，根据设计好的图案驱动光斑移动对步骤S2中覆盖在基底上的光刻胶直接进行曝光；S4：清洗掉不需要的光刻胶，获得微流控芯片模板。
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