[发明专利]一种片状ZnO掺杂PVDF压电阻尼材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610819330.2 申请日: 2016-09-13
公开(公告)号: CN106432990B 公开(公告)日: 2018-09-11
发明(设计)人: 马驰;闫丽玲;陈尔凡;张羽;孙明月 申请(专利权)人: 沈阳化工大学
主分类号: C08L27/16 分类号: C08L27/16;C08K9/06;C08K7/00;C08K3/22;C08J7/12;C08J7/06;C08J7/00;C09D127/16;C09D5/32;C09D5/08
代理公司: 沈阳技联专利代理有限公司 21205 代理人: 张志刚
地址: 110142 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种片状ZnO掺杂PVDF压电阻尼材料及其制备方法,属于压电阻尼复合材料制备领域。首先利用水热法制备片状氧化锌,并用偶联剂对其处理,另一方面将聚偏氟乙烯(PVDF)粉末溶解在其良溶剂中,然后将二者混合通过热压成型的方法制备出片状ZnO掺杂PVDF压电阻尼材料。其利用PVDF的压电性使机械振动更多的转化为了电能,提高了材料的阻尼效果,防止了传统阻尼材料易产生的热失效问题,且由于片状ZnO的引入有效的提高了其力学性能和压电性能,进而也使其阻尼效果得以改善。此外该方法产品性能稳定,易工业化生产,可广泛用于制备桥梁汽车的减振制品及吸波防腐涂料等。
搜索关键词: 一种 片状 zno 掺杂 pvdf 压电 阻尼 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种片状ZnO掺杂PVDF压电阻尼材料制备方法,其特征在于,阻尼材料由质量分数为5%~30%经偶联剂处理后的片状ZnO和70%~95%的PVDF所组成;片状ZnO为边长0.5~6μm,厚度0.1~1μm的类六边型片状粉末;偶联剂为3‑氨丙基三乙氧基硅烷、3‑氨丙基三甲氧基硅烷、3‑缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、3‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3‑巯基丙基三乙氧基硅烷、3‑巯基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、异丙基三(二辛基焦磷酸酰氧基)钛酸酯、双‑(γ‑三乙氧基硅基丙基)四硫化物、十七氟癸基三甲氧基硅烷、硬脂酸中的一种;偶联剂用量为片状ZnO质量的0.1~5%;所述阻尼材料制备方法包括以下步骤:(1)片状ZnO的制备:将0.1mol/L的六亚甲基四胺和醋酸锌溶液以体积比为1:1的比例进行混合,保持反应温度为80~90℃,并控制体系的pH值在8~9之间,反应5~10小时;反应后的产物经离心机分离,并利用丙酮和水洗涤分别冲洗3遍后,60~70℃条件下烘干3~8小时,制得片状ZnO;(2)片状ZnO的预处理:将占片状ZnO质量0.1~10%的偶联剂溶解在大量的丙酮溶液中,然后将制得的片状ZnO放入该含有偶联剂的丙酮溶液中,在20~35kHz频率条件下,超声分散0.5~1小时,然后再将分散产物60℃条件下烘干12小时,制得经偶联剂处理后的片状ZnO;(3)片状ZnO掺杂PVDF压电阻尼材料的制备:首先在20~30℃条件下将PVDF溶解在溶剂中,然后逐渐将经偶联剂处理后的片状ZnO加入到含有PVDF的溶液中,并且剧烈搅拌,混合均匀后,将其倒入带有排气装置的模具中,并在120~160℃,20MPa条件下热压0.5~2小时;(4)片状ZnO掺杂PVDF压电阻尼材料的极化处理:将热压后的产物进行喷金处理,干燥后放入80~110℃的硅油中进行极化,极化电场强度为5~10kV/mm,极化时间为10~30分钟,得到极化后的片状ZnO掺杂PVDF压电阻尼材料。
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