[发明专利]一种减少缺陷形成的静电吸盘及晶圆刻蚀方法有效
申请号: | 201610811291.1 | 申请日: | 2016-09-08 |
公开(公告)号: | CN106449506B | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 刘鹏飞;夏建军;刘长林;陆飞 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01J37/20 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 陈卫 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明涉及一种减少缺陷形成的静电吸盘及晶圆刻蚀方法,其中一种减少缺陷形成的静电吸盘包括静电吸盘盘体,所述静电吸盘盘体内镶嵌有磁体,所述磁体在所述静电吸盘盘体的表面形成的磁场,且所述磁场的方向为由静电吸盘盘体的中央指向边缘。本发明通过在静电吸盘盘体内增加磁体已产生由静电吸盘盘体的中央指向边缘的磁场,这样在静电吸盘盘体断电或宕机时,晶圆上方的带点粒子在自身重力和磁场力的作用下会由原来的匀加速直线运动变成回旋漂移运动,减少带点粒子落到晶圆上的概率,从而减少缺陷的形成。 | ||
搜索关键词: | 一种 减少 缺陷 形成 静电 吸盘 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
1.一种减少缺陷形成的静电吸盘,其特征在于:包括静电吸盘盘体(1),所述静电吸盘盘体(1)内镶嵌有磁体(2),所述磁体(2)在所述静电吸盘盘体(1)的表面形成的磁场,且所述磁场的方向为由静电吸盘盘体(1)的中央指向边缘;所述磁体(2)分布在所述静电吸盘盘体(1)的中央和边缘,位于所述静电吸盘盘体(1)的中央的磁体(2)的极性为N极,位于所述静电吸盘盘体(1)的边缘的磁体(2)的极性为S极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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