[发明专利]一种NAND闪存管理方法、主机、NAND闪存读写方法及NAND闪存控制器在审
申请号: | 201610791411.6 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106445408A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 陈伟 | 申请(专利权)人: | 深圳芯邦科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙)44285 | 代理人: | 王仲凯 |
地址: | 518057 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种NAND闪存管理方法、主机、NAND闪存读写方法及NAND闪存控制器,本发明实施例NAND闪存管理方法包括:获取NAND闪存的坏块信息;根据坏块信息确定第一绑定块和第二绑定块,第一绑定块中互相绑定的物理块均为好块,第二绑定块中互相绑定的物理块中包括坏块;将第一绑定块的信息存入准绑定块表中,将第二绑定块中好块的信息存入NAND闪存中的单独物理块表中;向NAND闪存发送存储请求,存储请求包括准绑定块表和单独物理块表,以使得NAND闪存的控制器将准绑定块表和单独物理块表存入NAND闪存中,并通过并行读写命令对第一绑定块进行访问,通过标准读写命令对第二绑定块中的好块进行访问,能够兼顾NAND闪存的高速与大容量。 | ||
搜索关键词: | 一种 nand 闪存 管理 方法 主机 读写 控制器 | ||
【主权项】:
一种NAND闪存管理方法,其特征在于,包括:获取NAND闪存的坏块信息;根据所述坏块信息确定第一绑定块和第二绑定块,所述第一绑定块中互相绑定的物理块均为好块,所述第二绑定块中互相绑定的物理块中包括坏块;将所述第一绑定块的信息存入准绑定块表中,将所述第二绑定块中好块的信息存入所述NAND闪存中的单独物理块表中;向所述NAND闪存发送存储请求,所述存储请求包括所述准绑定块表和所述单独物理块表,以使得所述NAND闪存的控制器将所述准绑定块表和所述单独物理块表存入所述NAND闪存中,并通过并行读写命令对所述第一绑定块进行访问,通过标准读写命令对所述第二绑定块中的好块进行访问。
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