[发明专利]一种薄膜温度传感器及制备方法

摘要

本发明涉及一种薄膜温度传感器及制备方法，该薄膜温度传感器至少包括：基片；薄膜热电偶，其通过离子束溅射沉积技术在所述基片上形成；所述薄膜热电偶包括正极热电偶膜和负极热电偶膜，所述正极热电偶膜和负极热电偶膜的内端对接形成热电偶接点；焊盘膜，其通过离子束溅射沉积技术在正极热电偶膜和负极热电偶膜的外端上形成，用于与外接引线连接；保护膜，其通过离子束溅射沉积技术覆盖在所述薄膜热电偶上，并覆盖薄膜热电偶所在基片区域表面。本发明使用离子束溅射沉积技术制备薄膜温度传感器，制备的各层薄膜密度高、附着力强，镀覆的薄膜热电偶厚度小，对温度的响应时间快，并且热电偶封装以后体积小，测量精度高。

主权项

1.一种薄膜温度传感器，其特征在于，至少包括：基片；薄膜热电偶，其通过离子束溅射沉积技术在所述基片上形成；所述薄膜热电偶包括正极热电偶膜和负极热电偶膜，所述正极热电偶膜和负极热电偶膜的内端对接形成热电偶接点；焊盘膜，其通过离子束溅射沉积技术在正极热电偶膜和负极热电偶膜的外端上形成，用于与外接引线连接；保护膜，其通过离子束溅射沉积技术覆盖在所述薄膜热电偶上，并覆盖薄膜热电偶所在基片区域表面；其中，所述薄膜温度传感器采用六靶台双离子束反应溅射沉积设备制作，所述六靶台双离子束反应溅射沉积设备包括主离子源、辅离子源、工件台和可旋转的六靶台；所述六靶台位于主离子源的离子束发射方向上，所述工件台位于所述辅离子源的离子束发射方向上以及主离子源的离子束溅射沉积的方向上，且所述工件台设置有可开关的挡板，用于在关闭时遮挡工件台上工件防止离子束溅射；制备所述薄膜温度传感器的方法中将靶材固定于六靶台的各个靶面上，并将基片固定在工件台上，在形成所述薄膜热电偶、所述焊盘膜和所述保护膜的步骤中通过旋转六靶台将所需的靶材置于主离子源的轰击范围内，并在靶材清洗步骤中关闭工件台的挡板防止离子束溅射，使用主离子源产生的低能离子束对靶材进行轰击；在预处理步骤中打开工件台的挡板，使用辅离子源产生的低能离子束对需要镀膜的工件进行轰击。