[发明专利]用于植物照明的发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610757136.6 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106328787B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 吴超瑜;吴俊毅;黄俊凯;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于植物照明的发光二极管及其制作方法，其依次包括外延生长的第一红光发光外延叠层、DBR半导体叠层及第二红光发光外延叠层，其中第一红光发光外延叠层包含第一N型欧姆接触层、第一N型覆盖层、第一发光层、第一P型覆盖层及第一P型欧姆接触层，所述第二红光发光外延叠层包含第二N型欧姆接触层、第二N型覆盖层、第二发光层、第二P型覆盖层及第二P型欧姆接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 植物 照明 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.用于植物照明的发光二极管芯片，从上至下包括：第一红光发光外延叠层、DBR半导体叠层、第二红光发光外延叠层及导电基板；所述第一红光发光外延叠层包含第一N型欧姆接触层、第一N型覆盖层、第一发光层、第一P型覆盖层及第一P型欧姆接触层；所述第二红光发光外延叠层包含第二N型欧姆接触层、第二N型覆盖层、第二发光层、第二P型覆盖层及第二P型欧姆接触层；所述第一红光发光外延叠层的发光面积小于所述第二红光发光外延叠层的发光面积；所述第一N型欧姆接触层上设有第一电极，所述第一P型欧姆接触层与所述第二N型欧姆接触层之间设有电连接结构，第二P型欧姆接触层上设有第二电极，所述第二红光发光外延叠层的表面预设为发光区和非发光区，第一红光发光外延叠层、DBR半导体叠层仅形成于所述第二红光发光外延叠层的非发光区，当流入电流时，所述DBR半导体叠层为电流阻挡层，阻止流经第一红光发光外延叠层的电流直接注入第二红光发光外延叠层的发光区，而是通过所述连接结构进入第二红光发光外延叠层，并尽量流向第二红光发光外延叠层的发光区。
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