[发明专利]能够在多种低压下工作而不降低性能的SRAM器件及其方法有效
| 申请号： | 201610750177.2 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106560895B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 潘卡伊·阿加沃尔;蔡睿哲;李政宏;陈建源;郑基廷;谢豪泰;陈彝梓 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G06F17/50 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 存储器器件包括：用于控制存储器器件的读操作或写操作的跟踪控制电路。跟踪控制电路包括多个跟踪单元，其中，跟踪单元的时序特性仿真位单元在存储器器件的写操作或读操作期间的时序特性。存储器器件还包括：用于配置跟踪控制电路的跟踪单元的数量的至少两条参考字线；和配置为激活至少两条参考字线中的一条或多条的选择电路。本发明的实施例还提供了能够在多种低压下工作而不降低性能的SRAM器件及其方法。 | ||
| 搜索关键词： | 能够 多种 压下 工作 降低 性能 sram 器件 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于使存储器器件在至少一种工作电压下工作的方法，所述方法包括：/n确定所述存储器器件在所述至少一种工作电压下的电特性；/n在所述存储器器件中提供至少一个跟踪控制电路，所述至少一个跟踪控制电路包括多个跟踪单元，所述跟踪单元的时序特性仿真位单元在所述存储器器件的写操作或读操作期间的时序特性；/n配置所述至少一个跟踪控制电路的跟踪单元的数量；以及/n提供第一选择电路，以用于选择所述至少一个跟踪控制电路中的一个；/n其中，配置所述至少一个跟踪控制电路内的跟踪单元的第一数量以用于控制所述存储器器件的写操作；以及/n配置所述至少一个跟踪控制电路内的跟踪单元的第二数量以用于控制所述存储器器件的读操作。/n
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