[发明专利]一种太阳能级多晶硅片表面处理方法

摘要

本发明公开了一种太阳能级多晶硅片表面处理方法，采用粒度直径在12‑16nm的粗碳化硼对多晶硅片表面进行机械粗研磨；采用粒度直径在1.5‑2.5nm的细碳化硼对经过粗研磨的多晶硅片表面进行机械细研磨；将经过细研磨后的多晶硅片中放入抛光液中进行腐蚀抛光，去除多晶硅片表面的研磨产生的损伤层；用强碱弱酸盐对得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；将得到的多晶硅片放入旋转桶内进行边缘抛光；用强碱弱酸盐对得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；对得到的多晶硅片进行清洗和烘干。本发明得到的多晶硅片硬度高、表面光滑。

主权项

一种太阳能级多晶硅片表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，采用粒度直径在12‑16nm的粗碳化硼对多晶硅片表面进行机械粗研磨；步骤2，采用粒度直径在1.5‑2.5nm的细碳化硼对经过粗研磨的多晶硅片表面进行机械细研磨；步骤3，将经过细研磨后的多晶硅片中放入抛光液中进行腐蚀抛光，去除步骤2中多晶硅片表面的研磨产生的损伤层；所述抛光液为硝酸、氢氟酸、磷酸的混合液；步骤4，用强碱弱酸盐对步骤3得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；步骤5，将步骤4得到的多晶硅片放入旋转桶内进行边缘抛光；步骤6，用强碱弱酸盐对步骤3得到的多晶硅片表面表面残留的抛光液中和掉；步骤7，对步骤6得到的多晶硅片进行清洗和烘干。