[发明专利]层叠体的剥离装置和剥离方法及电子器件的制造方法在审
| 申请号： | 201610695059.6 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106469682A | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 角田纯一;松山祥孝;渡边满 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B32B38/10 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇,张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及层叠体的剥离装置和剥离方法及电子器件的制造方法。对于层叠体的剥离装置，该层叠体以能够剥离的方式借助吸附层粘贴第1基板和第2基板而成，其特征在于，该层叠体的剥离装置包括激光束照射构件，通过对所述层叠体的外周缘部的一部分照射激光束、使所述吸附层的一部分气化而去除该部分，在所述外周缘部的一部分制作剥离开始部；液体供给构件，其向所述剥离开始部供给液体，且向所述第1基板与所述吸附层之间的间隙或所述第2基板与所述吸附层之间的间隙供给所述液体；以及剥离构件，其以所述剥离开始部为起点使所述第1基板和所述第2基板相对分开而剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 剥离 装置 方法 电子器件 制造 | ||
【主权项】：
一种层叠体的剥离装置，该层叠体以能够剥离的方式借助吸附层粘贴第1基板和第2基板而成，其特征在于，该层叠体的剥离装置包括：激光束照射构件，通过对所述层叠体的外周缘部的一部分照射激光束、使所述吸附层的一部分气化而去除该部分，在所述外周缘部的一部分制作剥离开始部；液体供给构件，其向所述剥离开始部供给液体，且向所述第1基板与所述吸附层之间的间隙或所述第2基板与所述吸附层之间的间隙供给所述液体；以及剥离构件，其以所述剥离开始部为起点使所述第1基板和所述第2基板相对分开而剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
