[发明专利]用于改善在晶片极端边缘的特征轮廓倾斜的边缘环组件在审
申请号: | 201610687047.9 | 申请日: | 2016-08-18 |
公开(公告)号: | CN106469637A | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 威廉·博世;拉杰什·多来;塔马拉卡·潘达姆所朴恩;布雷特·理查森;詹姆斯·维特尔;帕特里克·钟 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/20 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 樊英如,张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用于改善在晶片极端边缘的特征轮廓倾斜的边缘环组件,提供了边缘环组件,其包括配置成围绕静电卡盘(ESC)的上边缘环,所述ESC具有用于支撑衬底的顶表面和围绕顶表面的环形阶梯,所述环形阶梯限定低于所述顶表面的环形搁板,所述上边缘环被设置在环形搁板的上方;下内边缘环被设置在环形阶梯中的上边缘环的下方并被设置在环形搁板的上方,所述下内边缘环由导电材料限定,所述下内边缘环与所述ESC电绝缘;围绕所述内边缘环的下外边缘环,所述下外边缘环被设置在环形阶梯中的上边缘环的下方并被设置在所述环形搁板上方,下外边缘环由电绝缘材料限定。 | ||
搜索关键词: | 用于 改善 晶片 极端 边缘 特征 轮廓 倾斜 组件 | ||
【主权项】:
用于等离子处理室的边缘环组件,其包括:上边缘环,其被配置成围绕静电卡盘(ESC),所述ESC被配置用于与RF电源电连接,所述ESC具有用于支撑衬底的顶表面和围绕所述顶表面的环形阶梯,所述环形阶梯限定低于所述顶表面的环形搁板,所述上边缘环被设置在所述环形搁板的上方,所述上边缘环由电绝缘材料限定;下内边缘环,其被设置在所述环形阶梯中的所述上边缘环的下方并被设置在所述环形搁板的上方,所述下内边缘环由导电材料限定,所述下内边缘环与所述ESC电绝缘;下外边缘环,其围绕所述内边缘环,所述下外边缘环被设置在所述环形阶梯中的所述上边缘环的下方并设置在所述环形搁板的上方,所述下外边缘环由电绝缘材料限定。
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