[发明专利]发光元件有效
| 申请号： | 201610668838.7 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN106057994B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 吴俊德;李玉柱 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台南市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光元件，包含一第一型掺杂半导体层、一发光层、一第二型掺杂半导体层、一接触层，及一电极单元。该发光层设置于该第一型掺杂半导体层上并在接受电能时将电能转换为光，该第二型掺杂半导体层设置于该发光层上并与该第一型掺杂半导体层成相反电性，该接触层以半导体材料构成，且该接触层的晶格系统为斜方晶系，该接触层设置于该第二型掺杂半导体层上，该电极单元传送来自外界的电能至该发光层。本发明利用该接触层降低与该电极单元间的接触电阻，并同时降低工作电压，及增加元件整体的导电率，进而增加元件整体的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，其特征在于，包含：一第一型掺杂半导体层；一发光层，设置于该第一型掺杂半导体层上；一第二型掺杂半导体层，设置于该发光层上并与该第一型掺杂半导体层成相反电性；一接触层，化学式为InyGa1‑yOxN1‑x，其中，0＜y＜1，0＜x≦1，并设置于该第二型掺杂半导体层上；一导电层，设置在该接触层上，该导电层的材料包含金属薄膜；及一电极单元，传送来自外界的电能至该发光层；该接触层的晶格系统为斜方晶系。
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