[发明专利]静电释放保护器件的半导体结构以及制造方法有效
| 申请号： | 201610658085.1 | 申请日： | 2016-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106558543B | 公开（公告）日： | 2023-09-01 |
| 发明（设计）人： | 姚飞;王世军;殷登平 | 申请（专利权）人： | 南京矽力微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210042 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种低电容的静电释放保护器件的半导体结构以及制造方法，在第一掺杂类型的半导体衬底(401)的顶面的第一区域、第二区域分别形成第一掺杂类型的掩埋层(402)、第二掺杂类型的掩埋层(403)；在所述第一掺杂类型的掩埋层(402)以及所述第二掺杂类型的掩埋层(403)的上方形成第二掺杂类型的外延层(405)，第一掺杂类型的掩埋层(402)、第二掺杂类型的掩埋层(403)被掩埋在所述半导体衬底(401)与所述外延层(405)之间，在所述外延层(405)上位于所述第二掺杂类型的掩埋层(403)上方的第三区域(4051)的顶部形成第一掺杂类型的第一掺杂区(407)。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 释放 保护 器件 半导体 结构 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种静电释放保护器件的半导体结构制造方法，其特征是，包括：在第一掺杂类型的半导体衬底(401)的顶面的第一区域、第二区域分别形成第一掺杂类型的掩埋层(402)、第二掺杂类型的掩埋层(403)；在所述第一掺杂类型的掩埋层(402)以及所述第二掺杂类型的掩埋层(403)的上方形成第二掺杂类型的外延层(405)，第一掺杂类型的掩埋层(402)、第二掺杂类型的掩埋层(403)被掩埋在所述半导体衬底(401)与所述外延层(405)之间，在所述外延层(405)上位于所述第二掺杂类型的掩埋层(403)上方的第三区域(4051)的顶部形成第一掺杂类型的第一掺杂区(407)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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