[发明专利]导电球搭载装置及其控制方法有效
申请号: | 201610651796.6 | 申请日: | 2016-08-10 |
公开(公告)号: | CN106449445B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 崔承焕 | 申请(专利权)人: | 普罗科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道安养市东*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种导电球搭载装置及其控制方法,其在导电球搭载头中,向所述中央腔室供给导电球,以固定压力向内侧腔室供给第一压缩气体,在供给第一压缩气体的状态下,为了将中央腔室内部的导电球搭载到基板的安装槽,在将导电球搭载头配置到基板的上侧的状态下,以可使中央腔室内部的导电球通过第一压缩气体及第二压缩气体沿中央腔室的内径移动而搭载到基板的安装槽的压力(作业压力)向外侧腔室供给第二压缩气体,或为了保持作业待机状态而将第二压缩气体的压力保持为小于作业压力的作业待机压力。本发明可防止导电球在作业待机状态下高速移动或旋转,因此具有防止导电球氧化、受损、产生异物、发生变色等污染的效果。 | ||
搜索关键词: | 导电 搭载 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种导电球搭载装置的控制方法,其特征在于,所述导电球搭载装置具备导电球搭载头,所述导电球搭载头包含:中央腔室,接收用以搭载到形成在基板上的安装槽的导电球;内侧腔室,以包覆所述中央腔室的方式形成而向所述中央腔室传达第一压缩气体;外侧腔室,以包覆所述内侧腔室的方式形成而向所述中央腔室传达第二压缩气体;以及多个导销,以向圆周方向倾斜的方式设置到所述内侧腔室的内部;所述导电球搭载装置的控制方法包含如下步骤:(a)向所述中央腔室供给所述导电球的步骤;(b)以固定压力向所述内侧腔室供给所述第一压缩气体的步骤;(c)在通过(b)步骤供给所述第一压缩气体的状态下,为了将所述中央腔室内部的所述导电球搭载到所述基板的所述安装槽,在将所述导电球搭载头配置到所述基板的上侧的状态下,以可使所述中央腔室内部的所述导电球通过所述第一压缩气体及所述第二压缩气体沿所述中央腔室的内径进行圆周方向的移动而搭载到所述基板的所述安装槽的作业压力向所述外侧腔室供给所述第二压缩气体的步骤;以及(d)在通过所述(b)步骤供给所述第一压缩气体的状态下,为了保持所述导电球搭载头的作业待机状态,将所述第二压缩气体的压力保持为大于0且小于(c)步骤的所述第二压缩气体的所述作业压力的作业待机压力的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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