[发明专利]制造可拉伸导线的方法和制造可拉伸集成电路的方法有效
| 申请号： | 201610644461.1 | 申请日： | 2016-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN106469676B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 朴赞佑;具在本;罗福顺;朴来晚;吴知映;李相硕;郑焞元 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例提供一种制造可拉伸导线的方法，所述方法包含在基板上移除光致抗蚀剂层的一部分，以形成包含至少一个图案狭缝的光致抗蚀剂图案，在光致抗蚀剂图案上施加液相导电材料，以在图案狭缝中形成液相导电结构，在移除光致抗蚀剂图案之后，在液相导电结构上形成可拉伸的第一绝缘层，以及从基板分离液相导电结构和第一绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 拉伸 导线 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种制造可拉伸导线的方法，所述方法包含：在基板上移除光致抗蚀剂层的一部分，以形成包含至少一个图案狭缝的光致抗蚀剂图案；在所述光致抗蚀剂图案上施加液相导电材料，以在所述图案狭缝中形成液相导电结构；在移除所述光致抗蚀剂图案后，在所述液相导电结构上形成可拉伸的第一绝缘层；以及从所述基板分离所述液相导电结构和所述第一绝缘层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国电子通信研究院，未经韩国电子通信研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610644461.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于互连的结构和方法
- 下一篇：具有双晶界的互连结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
