[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201610623516.0 | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN107689409B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 彭建忠;黄建翔;沈佳辉;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/44;H01L33/36 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括发光二极管芯片、围设于所述发光二极管芯片周围的第一反射层、依次覆盖于所述发光二极管芯片之上的第一透光层、第二透光层，所述发光二极管芯片具有一主主出光面及位于所述主主出光面相对一侧的第一电极和第二电极，还包括位于所述第一反射层和第一透光层之间且围设于所述发光二极管芯片之间的第二反射层，所述第二反射层的反射率小于所述第一反射层的反射率，所述第一电极和第二电极的底面外露于所述第一反射层的底面。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括发光二极管芯片、围设于所述发光二极管芯片周围的第一反射层、依次覆盖于所述发光二极管芯片之上的第一透光层、第二透光层，所述发光二极管芯片具有一主出光面及位于所述主出光面相对一侧的第一电极和第二电极，其特征在于：还包括位于所述第一反射层和第一透光层之间且围设于所述发光二极管芯片周缘的第二反射层，所述第二反射层的反射率小于所述第一反射层的反射率，所述第一电极和第二电极的底面外露于所述第一反射层的底面。
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