[发明专利]磁阻式随机存取存储器单元及其制造方法

摘要

制造半导体器件的方法包括形成堆叠膜，堆叠膜包括反铁磁层、固定层、阻挡层、自由层和底电极层。该方法也包括在反铁磁层上方形成第一图案化的硬掩模、通过使用第一图案化的硬掩模作为第一蚀刻掩模蚀刻反铁磁层和固定层、沿着反铁磁层和固定层的侧壁形成第一覆盖层、通过使用第一图案化的硬掩模和第一覆盖层作为第二蚀刻掩模蚀刻阻挡层和自由层、在第一覆盖层上方形成沿着阻挡层和自由层的侧壁延伸的第二覆盖层、暴露反铁磁层并且在暴露的反铁磁层上方形成顶电极层。本发明的实施例还涉及磁阻式随机存取存储器单元及其制造方法。

主权项

一种方法，包括：形成堆叠膜，所述堆叠膜包括设置在固定层上方的反铁磁层、设置在阻挡层上方的所述固定层、设置在自由层上方的所述阻挡层和设置在底电极层上方的所述自由层；在所述反铁磁层上方形成第一图案化的硬掩模；通过使用所述第一图案化的硬掩模作为第一蚀刻掩模，蚀刻所述反铁磁层和所述固定层；沿着所述反铁磁层和所述固定层的侧壁形成第一覆盖层；通过使用所述第一图案化的硬掩模和所述第一覆盖层作为第二蚀刻掩模，蚀刻所述阻挡层和所述自由层；在所述第一覆盖层上方形成沿着所述阻挡层和所述自由层的侧壁延伸的第二覆盖层；暴露所述反铁磁层；以及在暴露的反铁磁层上方形成顶电极层。