[发明专利]一种阻变随机存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 201610607593.7 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107665945A | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 邹陆军;杨芸;仇圣棻 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一方面提供一种阻变随机存储器的制造方法，包括以下步骤提供基底；在所述基底上形成介电层；在所述介电层上形成缓冲层；在所述缓冲层和所述介电层中形成开口；在所述开口中形成下电极。本发明的另一方面提供一种利用上述制造方法制造的阻变随机存储器。本发明的阻变随机存储器及其制造方法，通过在介电层和电极之间加入缓冲层，能够增强电极的粘合度并缓解高压，从而能够有效防止电极脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 随机 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阻变随机存储器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供基底；在所述基底上形成介电层；在所述介电层上形成缓冲层；在所述缓冲层和所述介电层中形成开口；在所述开口中形成下电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610607593.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于机器人3D缝纫的缝纫轨迹纠偏装置
- 下一篇：一种全自动底线绕线机
