[发明专利]一种套刻精度的确定方法有效
| 申请号： | 201610602980.1 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN106019860B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 刘楠楠 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种套刻精度的确定方法，该确定方法包括：根据目标基板上形成的多个套刻标记的位置，确定目标基板上当前膜层分别相对位于当前膜层下方的任一膜层在同一预设区域形成的套刻标记的偏移量；根据各偏移量和预设规则，确定当前膜层的套刻精度。本发明实施例提供的套刻精度的确定方法，可获取任意两层间的套刻偏移量，同时能监控三层及以上层间套刻精度是否均满足生产需求；并且，可直接目视多层套刻层间对位偏移方向及优劣程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 精度 确定 方法 | ||
【主权项】：
1.一种套刻精度的确定方法，其特征在于，包括：根据目标基板上形成的多个套刻标记的位置，确定所述目标基板上当前膜层分别相对位于所述当前膜层下方的任一膜层在同一预设区域形成的套刻标记的偏移量；根据各所述偏移量和预设规则，确定所述当前膜层的套刻精度；各所述套刻标记的形状均为正方形；从最底层膜层到所述当前膜层形成的套刻标记的边长依次递减；采用下述公式计算所述当前膜层分别相对位于所述当前膜层下方的任一膜层在同一预设区域形成的套刻标记的偏移量：![]()
其中，OLXi表示所述当前膜层形成的套刻标记相对第i层的膜层形成对应的套刻标记在X方向上的偏移量；OLYi表示所述当前膜层形成的套刻标记相对第i层的膜层形成对应的套刻标记在Y方向上的偏移量；xi1和xi2分别表示所述当前膜层形成的套刻标记与第i层的膜层形成对应的套刻标记在X方向上相邻两边之间的第一距离和第二距离；yi1和yi2分别表示所述当前膜层形成的套刻标记分别相对第i层的膜层形成对应的套刻标记在Y方向上相邻两边之间的第一距离和第二距离；采用下述公式计算全部所述偏移量的平均值：![]()
其中，OLX表示所述当前膜层形成的套刻标记同时相对位于所述当前膜层下方的任一膜层形成对应的套刻标记在X方向上的偏移量；OLY表示所述当前膜层形成的套刻标记同时相对位于所述当前膜层下方的任一膜层形成对应的套刻标记在Y方向上的偏移量。
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