[发明专利]有源区制备方法

摘要

本发明提供一种有源区制备方法，通过多次执行先灰化处理而后湿法去胶的工艺，可以完全去除所述图形化的光刻胶层以及浅沟槽刻蚀产生的聚合物残留问题，从而保证有源区的关键尺寸，并提高了后续的浅沟槽隔离结构的圆角工艺制程以及填充工艺制程的效果，最终提高了器件的良率。

主权项

1.一种有源区制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成垫氧化层、硬掩膜层以及图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层、垫氧化层和半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成浅沟槽，并定义出有源区；多次执行先灰化处理而后湿法去胶的工艺，以去除所述图形化的光刻胶层以及所述浅沟槽表面的聚合物残留，每次灰化处理的过程包括：首先，对所述图形化的光刻胶层表面进行预加热，所采用的反应气体为氧气、氢气和氮气的混合气体，其中氧气为主要的反应气体，配比为60％～80％；然后，对所述图形化的光刻胶层表面的硬壳进行软化，所采用的反应气体为氧气、氢气和氮气的混合气体，且氢气和氮气为主要的反应气体，氢气和氮气所占的比例为60％～80％；接着，去除所述图形化的光刻胶层表面的硬壳，在所述硬掩膜层表面有残余光刻胶，其中所采用的反应气体为氧气、氢气和氮气的混合气体，氧气和氢气为主要的反应气体，氧气和氢气所占的比例为50％～90％。