[发明专利]用于具有栅极间隔件保护层的半导体器件的方法和结构

摘要

本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括提供前体。该前体包括：衬底；位于衬底上方的栅极堆叠件；位于栅极堆叠件上方的第一介电层；位于栅极堆叠件的侧壁上和第一介电层的侧壁上的栅极间隔件；以及位于栅极堆叠件的相对侧上的源极和漏极(S/D)接触件。方法还包括开槽所述栅极间隔件以至少部分地暴露第一介电层的侧壁而不暴露栅极堆叠件的侧壁。方法还包括在栅极间隔件、第一介电层和S/D接触件上方形成间隔件保护层。本发明的实施例还提供了用于具有栅极间隔件保护层的半导体器件的方法和结构。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：/n提供前体，所述前体包括：/n衬底；/n位于所述衬底上方的栅极堆叠件；/n位于所述栅极堆叠件上方的第一介电层；/n位于所述栅极堆叠件的侧壁上和所述第一介电层的侧壁上的栅极间隔件；和/n位于所述栅极堆叠件的相对侧上的源极和漏极(S/D)接触件；/n开槽所述栅极间隔件以至少部分地暴露所述第一介电层的侧壁而不暴露所述栅极堆叠件的侧壁；以及/n在开槽的栅极间隔件、所述第一介电层和所述源极和漏极接触件上方形成间隔件保护层；/n去除所述间隔件保护层的位于所述第一介电层上方的部分以暴露所述第一介电层，其中，在去除所述间隔件保护层的位于所述第一介电层上方的部分以暴露所述第一介电层之后，所述源极和漏极接触件被所述间隔件保护层覆盖。/n