[发明专利]一种抑制字线驱动器及采用该驱动器的存储器有效

专利信息
申请号: 201610590738.7 申请日: 2016-07-25
公开(公告)号: CN106057229B 公开(公告)日: 2019-09-03
发明(设计)人: 熊保玉 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: G11C8/08 分类号: G11C8/08;G11C11/407
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 王少文
地址: 710055 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种抑制字线驱动器及采用该驱动器的存储器,包括字线驱动器,字线使能信号WL_EN连接字线驱动器,还包括控制电路以及下拉电路,控制电路输出抑制使能S_EN,通过抑制使能S_EN控制下拉电路的打开或关断,下拉电路的输出端与字线WL连接,在读使能信号RE为高时,字线使能信号WL_EN为高时,抑制使能S_EN打开下拉电路;在读使能信号RE为低时,抑制使能S_EN关断下拉电路。本发明解决了现有的字线驱动器存在写操作和读操作时,使用相同的字线电压,无法单独优化存储单元在写操作时、读操作时的稳定性和性能的技术问题,本发明的抑制字线驱动器,在不牺牲存储器的写稳定性的前提下,改善了存储器的读稳定性。
搜索关键词: 一种 抑制 驱动器 采用 存储器
【主权项】:
1.一种抑制字线驱动器,包括字线驱动器,字线使能信号WL_EN连接字线驱动器,其特征在于:还包括控制电路以及下拉电路,所述控制电路输出抑制使能S_EN,通过抑制使能S_EN控制下拉电路的打开或关断,所述下拉电路的输出端与字线WL连接,在读使能信号RE为高时,字线使能信号WL_EN为高时,即读操作时,抑制使能S_EN打开下拉电路;在读使能信号RE为低时,即写操作时,抑制使能S_EN关断下拉电路;所述下拉电路的字线抑制端与一条字线WL连接,下拉电路的接地端直接与地线VSS连接;所述控制电路包括反相器I0、两输入或门I1、三输入与门I2、两输入与门(I3‑I9)组成,可编程高位PM<1>连接两输入或门I1的一个输入端、两输入与门I3的一个输入端和三输入与门I2的一个输入端,可编程低位PM<0>连接反相器I0的输入端和两输入或门I1的另一个输入端;测试使能TM_EN连接两输入与门I4的一个输入端,读使能信号RE连接两输入与门I3的另一输入端、连接三输入与门I2的第二个输入端,连接两输入与门I4的另一输入端,连接两输入与门I5的一个输入端,字线使能信号WL_EN连接两输入与门I6‑I9的一个输入端,反相器I0的输出端连接三输入与门I2的第三个输入端;两输入或门I1的输出端连接两输入与门I5的另一个输入端,两输入与门I3的输出端和两输入与门I8的另一个输入端连接,两输入与门I4的输出端连接两输入与门I6的另一个输入端,两输入与门I5的输出端连接两输入与门I7的另一个输入端,三输入与门I2的输出端连接两输入与门I9的另一个输入端,抑制使能S_EN连接两输入与门I6的输出端和下拉电路中N型场效应管N3和场效应管N2的栅端,两输入与门I7的输出端和下拉电路中N型场效应管N4的栅端连接;两输入与门I8的输出端和下拉电路中N型场效应管N5的栅端连接,两输入与门I9的输出端和下拉电路中N型场效应管N6的栅端连接;下拉电路包括N型场效应管N2、N型场效应管N3、N型场效应管N4、N型场效应管N5和N型场效应管N6,地VSS接N型场效应管N2的源端,N型场效应管N3、N型场效应管N4、N型场效应管N5和N型场效应管N6的源端和N型场效应管N2的漏端连接,字线WL连接N型场效应管N3、N4、N5、N6的漏端和字线驱动器的输出端;当前电源电压VDD大于等于参考电压时,通过测试使能TM_EN关断来关闭下拉电路;当前电源电压VDD小于参考电压时,测试使能TM_EN打开下拉电路,同时可编程位PM<1:0>来调节下拉电路的强弱;可编程位PM<1:0>值的设定根据存储器实际的工艺电压温度条件设定。
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