[发明专利]一种薄膜组件切割方法及装置有效
| 申请号： | 201610585906.3 | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN106141451B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 姜成才;吴小平;李楠 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/57;B23K26/60 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜组件切割方法及装置。所述薄膜组件包括层叠设置的第一膜层、第二膜层和第三膜层，其中，所述第二膜层在高于预设温度的环境中能够被碳化，所述方法包括：采用第一激光对第一膜层进行部分切割；将部分切割的第一膜层部分进行剥离，使得所述第二膜层的待切割部位裸露；采用第二激光对所述第二膜层进行切割，其中，所述第二激光为采用非烧融方式进行切割的激光。所述装置包括第一切割器、剥离机构、第二切割器、控制器。本发明提供的方法及装置，能够防止膜层碳化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 组件 切割 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜组件切割方法，所述薄膜组件包括层叠设置的第一膜层、第二膜层和第三膜层，其中，所述第二膜层在高于预设温度的环境中能够被碳化，其特征在于，所述方法包括：采用第一激光对第一膜层进行部分切割，切割深度小于所述第一膜层的厚度；将部分切割的第一膜层部分进行剥离，使得所述第二膜层的待切割部位裸露；采用第二激光对所述第二膜层进行切割，其中，所述第二激光为采用非烧融方式进行切割的激光。
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