[发明专利]制造六边形通道的硅光导管的方法有效
| 申请号： | 201610571646.4 | 申请日： | 2016-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN106019461B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 吕耀安 | 申请（专利权）人： | 无锡宏纳科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/00 | 分类号： | G02B6/00 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂汉钦 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区清源路*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造六边形通道的硅光导管，包括以下步骤：在硅基衬底之上外延第一硅氧化物层；在硅基衬底之上生长第二硅氧化物层；在第二硅氧化物层上方铺设光刻胶；光刻胶未覆盖区域的宽度与六边形通道的截面的对角线的长度相等；使用离子刻蚀的方法刻蚀出六边形通道的下半部分；步骤5、生长硅区域；步骤6、对硅区域进行研磨，使其高度与六边形通道的高度相等；对硅区域进行离子刻蚀，使用电场控制离子的方向，使得离子的入射方向与垂直方向成30°夹角；生长第三硅氧化物层；可通过本发明的制造方法，得到光传导通道为正六边形的硅光导管，更接近理想的横截面为圆形的光传导通道，传导效果更理想。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 六边形 通道 导管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造六边形通道的硅光导管的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在硅基衬底1之上外延第一硅氧化物层(2)；步骤2、在硅基衬底1之上生长第二硅氧化物层(3)；步骤3、对第二硅氧化物层(3)进行研磨，使之高度与与六边形通道的截面高度的一半相等；并在第二硅氧化物层(3)上方铺设光刻胶(31)；光刻胶(31)未覆盖区域的宽度与六边形通道的截面的对角线的长度相等；步骤4、使用离子刻蚀的方法刻蚀出六边形通道的下半部分；在进行离子刻蚀的时候，使用电场控制离子的方向，使得离子的入射方向与垂直方向成30°夹角；步骤5、生长硅区域(4)；步骤6、对硅区域(4)进行研磨，使其高度与六边形通道的高度相等；并在硅区域4顶端铺设光刻胶(41)，光刻胶(41)的宽度与六边形通道的的边长相等；步骤7、对硅区域(4)进行离子刻蚀，使用电场控制离子的方向，使得离子的入射方向与垂直方向成30°夹角；步骤8、生长第三硅氧化物层(5)；步骤9、对第三硅氧化物层(5)进行研磨使其上表面平整。
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