[发明专利]自监控真空泄露的器件、制备方法、系统及自监控方法

摘要

本发明提供了一种自监控真空泄露的器件、制备方法、系统及自监控方法，利用真空探测区域的电容结构实时监测封装结构内真空度的变化，一旦发生变化，真空探测区域的电容结构所产生的电信号将会产生明显的变化，从而很容易知晓是封装结构发生了泄露；避免了现有的当结构发生异常时需要额外判断检测排除等手段来找出原因的繁琐过程。

主权项

1.一种具有自监控真空泄露功能的器件，其具有位于一硅衬底上的真空探测区域，并且硅衬底由一封装结构密封；硅衬底具有与外部电路相连接的互连层，其特征在于，真空探测区域包括：位于硅衬底上的介质层，位于介质层中的导电结构和底部金属层，所述底部金属层位于所述导电结构之间并且通过介质层相隔离；底部金属层和导电结构分别与互连层中不同的互连线相连接；位于介质层上方的电极层，电极层中具有释放孔；覆盖于电极层上的覆盖层，覆盖层将释放孔顶部封住；位于导电金属与电极层之间的支撑环，支撑环用于支撑电极层，支撑环顶部与电极层相接触连接，支撑环的底部与导电金属接触连接；支撑环内部与电极层之间构成密闭真空腔；其中，所述电极层、所述密闭真空腔和所述底部金属层构成电容结构，所述电极层作为电容结构的上电极，所述底部金属层作为电容结构的下电极；其中，当封装结构内的真空发生泄露时，密闭真空腔内的气压与密闭真空腔外部的气压的比例会发生变化，所述电容结构所输出的电信号数据发生变化。