[发明专利]错误检测和分类匹配方法及系统在审
申请号: | 201610555117.5 | 申请日: | 2016-07-14 |
公开(公告)号: | CN106409721A | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 周家任;刘育祯;蔡依庭;潘若玲 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人: | 章社杲,李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 从腔室接收原始数据。基于接收的原始数据,检测腔室的操作中是否存在错误。检测包括以下概述的至少一个操作。基于腔室的原始数据,生成与腔室分别对应的西格玛值。做出确定以确定与西格玛值对应的西格玛比率是否小于阈值。在西格玛比率小于阈值的情况下,通过对腔室执行平均匹配工艺,生成与腔室分别对应的平均离群值指数。识别腔室中的具有第一平均离群值指数的最差的第一离群值指数的一个以作为具有错误操作的目标腔室。本发明的实施例还提供了错误检测和分类匹配方法和系统。 | ||
搜索关键词: | 错误 检测 分类 匹配 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种错误检测和分类匹配方法,包括:从多个腔室接收原始数据;基于接收的所述腔室的原始数据,检测所述腔室的操作中是否存在错误,其中,所述检测包括以下中的至少一个:基于所述接收的所述腔室的原始数据,生成与所述腔室对应的多个第一西格玛值;在与所述第一西格玛值对应的西格玛比率小于阈值的情况下,通过对所述腔室执行平均匹配工艺,生成与所述腔室对应的多个第一平均离群值指数;以及识别所述腔室中的具有所述第一平均离群值指数的最差的第一平均离群值指数的一个腔室以作为具有错误操作的目标腔室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造