[发明专利]一种控制碳化硅单晶生长径向温度梯度的装置及方法在审

专利信息
申请号: 201610542515.3 申请日: 2016-07-12
公开(公告)号: CN106048715A 公开(公告)日: 2016-10-26
发明(设计)人: 袁玉平 申请(专利权)人: 江苏拜尔特光电设备有限公司
主分类号: C30B23/00 分类号: C30B23/00;C30B29/36
代理公司: 宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙) 32208 代理人: 丁骞
地址: 214264 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种控制碳化硅单晶生长径向温度梯度的装置及方法,装置包括设在坩埚盖上方的碳纤维锥形吹风装置,所述碳纤维锥形吹风装置的上端口与碳纤维三通相连,所述碳纤维三通一端口与变频循环风装置相连,所述碳纤维三通另一端口与测温仪相连,所述变频循环风装置和测温仪都与PLC控制系统相连;方法包括根据工艺设定温度和测温仪所测温度进行比较,PLC控制系统发送信号给变频循环风装置调节温度。本发明不需要改变径向位置就可以改变径向温度,可以自动调节径向温度,根据生长晶体的需求设定温度,保持稳定的径向温度,可以保持晶体一直在最佳温度下生长,晶体生长平稳,晶体品质提高。
搜索关键词: 一种 控制 碳化硅 生长 径向 温度梯度 装置 方法
【主权项】:
一种控制碳化硅单晶生长径向温度梯度的装置,其特征在于:它包括设在坩埚盖(1)上方的碳纤维锥形吹风装置(2),所述碳纤维锤形吹风装置(2)的上端口与碳纤维三通(3)相连,所述碳纤维三通(3)一端口与变频循环风装置(4)相连,所述碳纤维三通(3)另一端口与测温仪(5)相连,所述变频循环风装置(4)和测温仪(5)都与PLC控制系统(6)相连。
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