[发明专利]基底结构有效
| 申请号： | 201610534795.3 | 申请日： | 2016-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN106340495B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 金裕德;赵京淳;李璱基;朴多熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H05K1/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;王占杰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种基底结构，所述基底结构可以包括：基础基底；多个单元基底区域，按一行或更多行和一列或更多列布置在基础基底上且彼此隔开；虚设基底区域，位于单元基底区域之间。在行方向或列方向上，单元基底区域之中的两个相邻的第一单元基底区域的中心点之间的第一间距和单元基底区域之中的两个相邻的第二单元基底区域的中心点之间的第二间距彼此不同。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 结构 | ||
【主权项】：
1.一种基底结构，所述基底结构包括：基础基底；多个单元基底区域，按一行或更多行和一列或更多列布置在基础基底上且彼此隔开；以及虚设基底区域，位于单元基底区域之间，其中，在行方向或列方向上，单元基底区域之中的两个相邻的第一单元基底区域的中心点之间的第一间距和单元基底区域之中的两个相邻的第二单元基底区域的中心点之间的第二间距彼此不同，其中，每个单元基底区域的尺寸彼此相等，其中，在行方向上或列方向上，两个相邻的单元基底区域之间的距离小于第一间距和第二间距中的每个，其中，虚设基底区域包括用来形成单独的半导体芯片的切割区域。
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