[发明专利]高纯度四氯化硅的提纯方法有效
申请号: | 201610528311.4 | 申请日: | 2016-07-06 |
公开(公告)号: | CN106219551B | 公开(公告)日: | 2018-01-12 |
发明(设计)人: | 沈祖祥;王姗 | 申请(专利权)人: | 成都蜀菱科技发展有限公司 |
主分类号: | C01B33/107 | 分类号: | C01B33/107 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 孟凡宏 |
地址: | 610000 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及一种使用精馏塔来提纯高纯度四氯化硅的方法,其中所述精馏塔的塔板数或填料高度根据关键杂质的选择来确定。 | ||
搜索关键词: | 纯度 氯化 提纯 方法 | ||
【主权项】:
一种高纯度四氯化硅的提纯方法,包括以下步骤:a.将四氯化硅粗料加热后输送至第一精馏塔,塔顶馏分经第一水冷换热器后一部分回流,另一部分作为低沸物组分排出;b.将含四氯化硅的塔釜液从第一精馏塔的塔底排出,一部分通过再沸器回流至第一精馏塔底部,另一部分进入第二精馏塔;c.将第二精馏塔的塔釜液从塔底排出,一部分通过再沸器回流至第二精馏塔,另一部分作为高沸物组分排出;和d.第二精馏塔的塔顶馏分经第二水冷换热器后一部分回流,另一部分采出得到纯度不低于99.9999%的高纯度四氯化硅,其中第一精馏塔和第二精馏塔的实际塔板数/填料高度通过以下方式确定:(1)根据高纯度四氯化硅的用途以及四氯化硅粗料中杂质的含量,确定四氯化硅产品中的关键杂质;(2)根据以下公式计算相对挥发度α:α=重组分的饱和蒸汽压/轻组分的饱和蒸汽压其中,关键杂质和四氯化硅相比,沸点较低的为轻组分,沸点较高的为重组分;(3)根据αn=ω/ω0计算理论塔板数n,其中ω0是关键杂质的最初含量,ω是关键杂质的最终要求含量;(4)根据N=n/b计算板式塔的实际塔板数,其中b是塔板效率;或根据M=n*c计算填料塔的填料高度M,其中c是等板高度。
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