[发明专利]一种基于热传导理论的芯片温度预测方法有效

专利信息
申请号: 201610507640.0 申请日: 2016-06-30
公开(公告)号: CN106169023B 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 彭元喜;海月;田甜;雷元武;李勇;万江华;王建之;贾宝东;舒雷志;张松松;张榜 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 代理人: 周长清
地址: 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 一种基于热传导理论的芯片温度预测方法,其步骤为:S1:构建处理器的散热模型;采用一维稳态热传导的传热模型,将处理器于t时刻的温度变化率与t时刻的输入功率P(t)、t时刻的温度T(t)、处理器的热电阻R和热电容C关联,即形成温度变化的RC模型;S2:在散热模型中进行RC数值抽取,得到热电阻R和热电容C的数值;S3:利用热电阻R和热电容C的数值,构建温度预测表达式;S4:进行温度预测;输入处理器某时刻的输入功率P(t)以及该时刻的温度T(t),利用步骤S3中的温度预测表达式计算出处理器下一时刻的温度。本发明具有原理简单、操作简便、硬件开销小、处理速度快等优点。
搜索关键词: 一种 基于 热传导 理论 芯片 温度 预测 方法
【主权项】:
1.一种基于热传导理论的芯片温度预测方法,其特征在于,步骤为:S1:构建处理器的散热模型;采用一维稳态热传导的传热模型,将处理器于t时刻的温度变化率与t时刻的输入功率P(t)、t时刻的温度T(t)、处理器的热电阻R和热电容C关联,即形成温度变化的RC模型;S2:在散热模型中进行RC数值抽取,得到热电阻R和热电容C的数值;S3:利用热电阻R和热电容C的数值,构建温度预测表达式;S4:进行温度预测;输入处理器某时刻的输入功率P(t)以及该时刻的温度T(t),利用步骤S3中的温度预测表达式计算出处理器下一时刻的温度;所述传热模型为:其中,就是t时刻的温度变化率,这个温度变化率由采集到的信息当中的温度值相减并除以采集间隔来获取。
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