[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示器件在审
申请号: | 201610499703.2 | 申请日: | 2016-06-29 |
公开(公告)号: | CN105895639A | 公开(公告)日: | 2016-08-24 |
发明(设计)人: | 刘保力;陈皓;谢海征;林雨;朱孝会;关跃征 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 赵丹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开一种阵列基板及其制备方法、显示器件,涉及液晶显示技术领域,以消除钝化层过孔过刻蚀的隐患,避免由于钝化层过孔过刻蚀而导致的钝化层过孔上下层结构连接不良。所述阵列基板,包括承载基底,在所述承载基底上形成有空间垂直交叉的栅线和数据线,所述栅线和数据线限定出像素区域,所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接,所述源漏电极所在的源漏电极层下方设有导电层、上方设有钝化层过孔,所述导电层、源漏电极层、以及钝化层过孔位置相互对应且由下至上依次排列。本发明提供的阵列基板用于制备液晶显示器件。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 器件 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括承载基底,在所述承载基底上形成有空间垂直交叉的栅线和数据线,所述栅线和数据线限定出像素区域,所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接,其特征在于,所述源漏电极所在的源漏电极层下方设有导电层、上方设有钝化层过孔,所述导电层、源漏电极层、以及钝化层过孔位置相互对应且由下至上依次排列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的