[发明专利]一种LED电极结构的去除方法

摘要

本发明涉及一种LED电极结构的去除方法，通过物理超声初步降低金属电极层与P‑GaN层之间的粘附性，然后使用氢氟酸腐蚀掉表面保护层，最后使用盐酸与双氧水的混合溶液去掉金属电极层中以铬、铝金属为底层的所有金属(包括钛、金铍、金、铂、银、镍、锗)。本发明主要利用金属铝与稀酸反应，特定环境下将最底层较薄的铬带掉，位于铝顶层的金属也会随着铝的脱落而脱离本发明步骤简洁，操作简单，在不使用专门的铬腐蚀液、金腐蚀液等的条件下，在完全保证不受损伤的前提下，实现了整个金属电极层的完全有效的腐蚀返工，腐蚀清洗后的LED电极结构表面洁净，无任何金属残渣、铬层底膜残留。

主权项

1.一种LED电极结构的去除方法，所述LED电极结构包括蓝宝石衬底层、N型氮化镓、P型氮化镓层、保护层、金属电极层，保护层为二氧化硅保护层，金属电极层由下至上依次设有金属铬层、金属铝层、混合金属层，混合金属层为各种金属叠加制作而成，其特征在于，具体步骤包括：(1)超声处理：将待清洗的LED电极结构放置在盛有清水的容器内进行超声波超声；(2)去保护层清洗：将步骤(1)超声处理后的LED电极结构置于氢氟酸溶液中腐蚀清洗；(3)去金属电极层清洗：将步骤(2)处理后的LED电极结构置于盐酸与双氧水的混合溶液中腐蚀清洗，盐酸与双氧水的混合溶液中，盐酸与双氧水的质量体积比为(1:2)—(1:5)；盐酸与双氧水的混合溶液中，所述盐酸的质量分数为36‑38％，所述盐酸的密度为1.10‑1.25g/ml；所述双氧水的质量浓度为30‑32％，所述双氧水的密度为1.11—1.13g/ml；(4)清洗：将步骤(3)处理后的LED电极结构清洗；(5)吹干：将步骤(4)处理后的LED电极结构吹干。