[发明专利]用于制备横向超级结结构的方法

摘要

本发明涉及一种用于制备超级结结构的方法，尤其涉及一种用于制备横向超级结结构的方法；一种在半导体器件中制备横向超级结结构的制备方法，使用N和P型离子注入到基极外延层中。在一些实施例中，基极外延层为本征外延层或轻掺杂外延层。该方法同时将N和P型离子注入到基极外延层中。连续重复进行外延和注入工艺，在半导体基极层上制备多个注入的基极外延层。形成所需数量的注入基极外延层之后，对半导体结构退火，形成含有交替N和P型薄半导体区的横向超级结结构。确切地说，通过离子注入工艺和后续的退火，制成交替的N和P型薄超级结层。本发明所述的制备方法，确保在横向超级结器件中实现良好的电荷控制。

主权项

1.一种用于制备横向超级结结构的方法，其特征在于，包括：制备一个第一导电类型的重掺杂半导体衬底；在衬底上，制备一个第一导电类型的轻掺杂半导体层，衬底和轻掺杂半导体层构成半导体基极层；在半导体基极层上，制备一个基极外延层；将N‑型掺杂物和P‑型掺杂物注入到基极外延层中；重复制备基极外延层，并将N‑型和P‑型注入到基极外延层中，以便在半导体基极层上形成多个注入的基极外延层；并且对所述多个注入的基极外延层退火，以激活注入的掺杂物，并使注入掺杂物扩散，以在所述多个注入的基极外延层中形成交替的N‑型和P‑型薄半导体区，其中交替的N‑型和P‑型薄半导体区构成横向超级结结构，交替的N‑型和P‑型薄半导体区与所述半导体结构的主表面平行。