[发明专利]一种承载装置及预清洗腔室有效
| 申请号： | 201610396883.1 | 申请日： | 2016-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN107464764B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 张超 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687;H01J37/32;C23C14/02;C23C14/50 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种承载装置及预清洗腔室，该承载装置包括用于承载待处理工件的顶板，所述顶板包括中心件以及环绕在所述中心件周围的环形件，且所述中心件与所述环形件相互绝缘；通过分别向所述中心件和环形件加载不同的负偏压，使所述待处理工件在其径向上不同位置的刻蚀速率趋于一致。本发明中的承载装置的中心件和环形件加载了不同的负偏压，使得承载装置所承载的待处理工件上的等离子体密度分布均匀，这样待处理工件在其径向上不同位置的刻蚀速率趋于一致，从而提高了待处理工件上的刻蚀均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 承载 装置 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种承载装置，包括用于承载待处理工件的顶板，其特征在于，所述顶板包括中心件以及环绕在所述中心件周围的环形件，且所述中心件与所述环形件相互绝缘；/n通过分别向所述中心件和环形件加载不同的负偏压，使所述待处理工件在其径向上不同位置的刻蚀速率趋于一致。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
