[发明专利]一种氮掺杂多孔碳片层材料的制备方法在审
| 申请号： | 201610388899.8 | 申请日： | 2016-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN106082161A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 范磊;杨莉;徐祥东;郭荣 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种氮掺杂多孔碳片层材料的制备方法，涉及超级电容器电极材料的制备技术领域，以明胶为碳源和氮源，SiO2作为模板，经明胶自由组装再高温炭化，形成片层结构，最后用NaOH溶液将SiO2刻蚀除去，得到孔径均一的氮掺杂多孔碳片层材料。本发明的优点在于制备出的电极材料在增大比表面积同时，也利用氮掺杂增加了材料的导电性和表面润湿性，二者协同得到高比电容和高稳定性的碳材料。并且所得材料的石墨化程度高，在电容器电极材料等领域有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 多孔 碳片层 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮掺杂多孔碳片层材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）将明胶和SiO2分散于去离子水中，取得混合均匀的透明溶液，将透明溶液置于60℃条件下搅拌反应，取得溶胶，将溶胶平铺于玻璃板上，经干燥后，自玻璃板上刮取膜制品；2）在氮气保护下，将膜制品置于真空管式炉中煅烧，取得SiO2/C片层材料；3）将SiO2/C片层材料置于NaOH水溶液中浸泡后，洗涤至中性，再烘干，即得氮掺杂多孔碳片层材料。
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