[发明专利]掩膜板及设计方法、阵列基板及制作方法、相关显示装置有效
申请号: | 201610388518.6 | 申请日: | 2016-06-02 |
公开(公告)号: | CN105842980B | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 毕鑫;林承武;赵永亮;宁智勇;王兆君;张超 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/54 | 分类号: | G03F1/54;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩膜板及设计方法、阵列基板及制作方法、相关显示装置,用以减小周边电路区包括的薄膜晶体管的沟道长度与显示区包括的薄膜晶体管的沟道长度的差异,提高显示面板的特性。掩膜板用于对阵列基板曝光,包括对阵列基板的显示区曝光的第一区域和对阵列基板的周边电路区曝光的第二区域,第一区域包括若干第一半透光区域,第二区域包括若干第二半透光区域,其中,第二半透光区域在预设方向上的长度值与第一半透光区域在预设方向上的长度值的差值小于零;预设方向为与阵列基板上设置的薄膜晶体管的沟道长度垂直的方向。 | ||
搜索关键词: | 掩膜板 设计 方法 阵列 制作方法 相关 显示装置 | ||
【主权项】:
一种掩膜板,用于对阵列基板曝光,包括对阵列基板的显示区曝光的第一区域和对阵列基板的周边电路区曝光的第二区域,所述第一区域包括若干第一半透光区域,所述第二区域包括若干第二半透光区域,其特征在于,所述第二半透光区域在预设方向上的长度值与所述第一半透光区域在预设方向上的长度值的差值小于零;所述预设方向为与所述阵列基板上设置的薄膜晶体管的沟道长度垂直的方向。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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