[发明专利]LED外延生长方法

摘要

本申请公开了一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长InAlGaN/SiAlN超晶格层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层、降温冷却。如此方案，在所述生长掺杂Si的N型GaN层之后、生长发光层之前，引入生长InAlGaN/SiAlN超晶格层，InAlGaN/SiAlN超晶格层的引入，使得LED的N层电流分布得到改善，进而使得LED的发光强度得到改善。

主权项

1.一种LED外延生长方法，其特征在于，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长发光层、生长P型AlGaN层、生长掺杂Mg的P型GaN层、降温冷却，所述生长掺杂Si的N型GaN层，进一步为：保持反应腔压力300mbar‑600mbar、温度1000℃‑1200℃的条件下，通入流量为30000sccm‑60000sccm的NH3、200sccm‑400sccm的TMGa、100L/min‑130L/min的H2、20sccm‑50sccm的SiH4，持续生长3μm‑4μm掺杂Si的N型GaN层，Si掺杂浓度5E18atoms/cm3‑1E19atoms/cm3；在所述生长掺杂Si的N型GaN层之后、所述生长发光层之前，还包括：生长InAlGaN/SiAlN超晶格层，所述生长InAlGaN/SiAlN超晶格层为：保持反应腔压力750mbar‑900mbar、保持温度1000℃‑1100℃，通入流量为40000sccm‑50000sccm的NH3、110L/min‑130L/min的H2、1000sccm‑1200sccm的TMIn、200sccm‑250sccm的TMAl、200sccm‑400sccm的TMGa、40sccm‑55sccm的SiH4，生长InAlGaN/SiAlN超晶格层；所述生长InAlGaN/SiAlN超晶格层，进一步为：保持反应腔压力750mbar‑900mbar、保持温度1000℃‑1100℃，通入流量为40000sccm‑50000sccm的NH3、1000sccm‑1200sccm的TMIn、200sccm‑400sccm的TMGa、200sccm‑250sccm的TMAl、110L/min‑130L/min的H2，生长厚度为10nm‑20nm的InAlGaN层；保持反应腔压力750mbar‑900mbar、保持温度1000℃‑1100℃，通入流量为40000sccm‑50000sccm的NH3、110L/min‑130L/min的H2、200sccm‑250sccm的TMAl、40sccm‑55sccm的SiH4，生长SiAlN层，其中，Si掺杂浓度为1E18atoms/cm3‑5E18atoms/cm3；周期性生长所述InAlGaN层和所述SiAlN层，生长周期为10‑18，生长所述InAlGaN层和生长所述SiAlN层的顺序可互换。