[发明专利]利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法在审
| 申请号： | 201610370844.4 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN106048555A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 安平博;赵丽霞;魏同波;陈召龙;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C23C16/44;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用石墨烯插入层在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法及该方法制成的AlN薄膜外延结构。所述方法包括：S1、在一临时衬底上生长单层石墨烯；S2、将所述临时衬底上的生长的单层石墨烯转移到所述玻璃衬底上；S3、在表面具有单层石墨烯的玻璃衬底上生长AlN薄膜。本发明利用石墨烯作为插入层，可以解决外延薄膜和非晶玻璃衬底晶格不匹配问题，为AlN外延提供模版，改善了在非晶衬底上外延AlN的薄膜质量。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 石墨 插入 玻璃 衬底 外延 aln 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种在玻璃衬底上外延AlN薄膜的方法，包括如下步骤：S1、在一临时衬底上生长单层石墨烯；S2、将所述临时衬底上的生长的单层石墨烯转移到所述玻璃衬底上；S3、在表面具有单层石墨烯的玻璃衬底上生长AlN薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
