[发明专利]一种n型单晶硅的生长方法在审
| 申请号： | 201610364056.4 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105887194A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张俊宝;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种n型单晶硅生长方法，选择P作为n型单晶硅的主掺杂元素，且在单晶硅生长过程中加入，加入具有相反作用的Ga作为半导体单晶硅副掺杂元素，抵消单晶硅中P浓度增量，控制单晶硅生长过程中的电阻波动。同时当单晶硅的重量达到特定要求时，一次或多次加入副掺杂元素Ga，可进一步精确控制单晶硅中的共掺杂元素综合浓度，减小电阻率的波动，也可以避免副掺杂元素的挥发性对熔体中掺杂元素浓度的影响，提高单晶硅生长的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种直拉法硅单晶生长方法，主要是n型半导体单晶硅的生长方法，选择P作为n型半导体单晶硅的主掺杂元素，选择具有相反作用的Ga作为半导体单晶硅副掺杂元素，其特征在于，根据单晶硅的电阻率要求，求出单晶硅的固化率，并在单晶硅达到所要求的固化率时加入Ga。
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