[发明专利]大面积薄膜太阳能电池的制法在审

专利信息
申请号: 201610348034.9 申请日: 2016-05-23
公开(公告)号: CN107305914A 公开(公告)日: 2017-10-31
发明(设计)人: 赖志煌;蔡忠浩 申请(专利权)人: 赖志煌
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0749;C23C14/34;C23C14/14;C23C14/06;C23C14/58
代理公司: 北京泰吉知识产权代理有限公司11355 代理人: 张雅军,史瞳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种大面积薄膜太阳能电池的制法,实质上是由以下步骤所构成(a)在一表面的上方形成有一第一电极单元的基板上形成一多层膜;(b)在一含有一惰性气体及一硒源的退火环境内对该多层膜施予硒化处理,以令该多层膜形成一具有黄铜矿晶相的吸收层;(c)于该吸收层上形成一第一缓冲层;(d)于该第一缓冲层上形成一第二缓冲层;(e)于该第二缓冲层上形成一透明导电层;及(f)于该透明导电层上形成一第二电极单元。该步骤(a)包括以下次步骤(a1)于该第一电极单元上溅镀一含有Cu、Ga及KF的第一复合膜体,及(a2)在该含有Cu、Ga及KF的第一复合膜体上溅镀一In膜体,借此,简化制程,且所需耗费的时间成本少。
搜索关键词: 大面积 薄膜 太阳能电池 制法
【主权项】:
一种大面积薄膜太阳能电池的制法,其特征在于:实质上是由以下步骤所构成:一步骤(a),是在一表面的上方形成有一第一电极单元的基板上形成一多层膜,该步骤(a)包括以下次步骤:一步骤(a1),于该第一电极单元上溅镀一含有Cu、Ga及KF的第一复合膜体,及一步骤(a2),在该含有Cu、Ga及KF的第一复合膜体上溅镀一In膜体;一步骤(b),是于该步骤(a)后,在一含有一惰性气体及一硒源的退火环境内对该多层膜施予硒化处理,以令该多层膜形成一具有黄铜矿晶相的吸收层;一步骤(c),是于该吸收层上形成一第一缓冲层;一步骤(d),是于该第一缓冲层上形成一第二缓冲层;一步骤(e),是于该第二缓冲层上形成一透明导电层;及一步骤(f),是于该透明导电层上形成一第二电极单元。
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