[发明专利]自适应参考电压大动态范围PWM数字像素传感器在审

专利信息
申请号: 201610343887.3 申请日: 2016-05-20
公开(公告)号: CN106027921A 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 徐江涛;周益明;高志远;聂凯明;高静;史再峰 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H04N5/355 分类号: H04N5/355;H04N5/3745
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 刘国威
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明涉及CMOS集成电路领域,为提出一种具有自适应参考电压的脉冲宽度调制数字像素,使得参考电压高低和像素的光照强度相关,从而实现动态范围的扩展。为此,本发明采用的技术方案是,自适应参考电压大动态范围PWM数字像素传感器,结构是,像素阵列被分成包含相同数目像素的像素块,每个像素块中包含N个像素和一个参考电压产生器,另外整个像素阵列中还包含了全局计数器、列级ADC、列级存储器;每个像素的光电二极管PD正端接地,负端接复位晶体管Mrst和比较器的正输入端,比较器的输出连接至存储器的写入控制端,存储器中写入的数据由全局计数器控制。本发明主要应用于PWM数字像素传感器的设计制造。
搜索关键词: 自适应 参考 电压 动态 范围 pwm 数字 像素 传感器
【主权项】:
一种自适应参考电压大动态范围PWM数字像素传感器,其特征是,结构是,像素阵列被分成包含相同数目像素的像素块,每个像素块中包含N个像素和一个参考电压产生器,另外整个像素阵列中还包含了全局计数器、列级ADC、列级存储器;每个像素的光电二极管PD正端接地,负端接复位晶体管Mrst和比较器的正输入端,比较器的输出连接至存储器的写入控制端,存储器中写入的数据由全局计数器控制;参考电压产生器是一个由采样电容CH、开关S1‑S3和运放构成的采样‑保持电路,采样电容CH一端连接开关S1、S3,采样电容CH另一端连接运放负输入端,开关S3另一端连接运放输出,开关跨接在运放负输入端和输出端之间;采样结点通过N个开关分别连接至同一个像素块内每个像素中光电二极管的负端,参考电压产生器的输出连接到每个像素比较器的负输入和列级ADC电路。
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