[发明专利]一种高稳定性的n型半导体材料萘二酰亚胺衍生物化合物、制备方法和应用有效
申请号: | 201610343356.4 | 申请日: | 2016-05-19 |
公开(公告)号: | CN106045998B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 孟鸿;赵亮;黄维 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
主分类号: | C07D471/06 | 分类号: | C07D471/06;C09K11/06;H01L51/30 |
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地址: | 211800 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及萘二酰亚胺衍生物化合物、制备方法及作为n‑型有机半导体在光电材料的应用。一类含N,N’‑[4‑(三氟甲硫基)苯基]‑1,4,5,8‑萘二酰亚胺衍生物的化合物结构如下所示该材料具有有较好的热稳定性,空气稳定性,良好的溶解性。可广泛应用于有机电致发光器件、有机场效应晶体管器件;且该材料可一锅法制造,适用于工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 稳定性 半导体材料 萘二酰 亚胺 衍生物 化合物 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种含N,N’‑[4‑(三氟甲硫基)苯基]‑1,4,5,8‑萘二酰亚胺衍生物的化合物,结构如下所示:式中R1和R2独立选自氢、氘、C1‑C3烷基,R1和R2可以相同或者不相同;当R1和R2相同时,R1和R2为氢、氘、甲基。
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