[发明专利]利用多感应像素检测多种气体的传感器的制造方法

摘要

本发明提供了一种利用多感应像素检测多种气体的传感器的制造方法，包括如下步骤：步骤S1：在硅片(1)制造出多个加热电阻层；步骤S2：在所述加热电阻层上形成多个不同性质的气敏电阻，或多感应像素；步骤S3：进行真空烘烤；步骤S4：为加热电阻层和气敏电阻加工出气敏电极接触孔和电阻层接触孔(14)，在气敏电极接触孔和电阻层接触孔(14)上焊接电极引线。步骤S5：利用不同气体在不同的气敏电阻的唯一特性或“指纹”，检测气体的种类和浓度。制造成本较低：本发明的方法使用通常在集成电路制造中使用的标准工艺，避免使用非传统的MEMS工艺，因此可以降低制造成本，增强可生产性。

主权项

1.一种利用多感应像素检测多种气体的传感器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：在硅片(1)制造出多个加热电阻层；步骤S2：在所述加热电阻层上形成多个不同性质的气敏电阻；步骤S3：进行真空烘烤；步骤S4：为加热电阻层和气敏电阻加工出气敏电极接触孔和电阻层接触孔(14)，在气敏电极接触孔和电阻层接触孔(14)上焊接电极引线；所述步骤S1包括如下步骤：步骤S101：在硅片(1)上淀积第一层氧化硅SiO2薄膜(2)；步骤S102：在第一层氧化硅SiO2薄膜(2)上淀积第一层金属薄膜(3)；步骤S103：在第一层金属薄膜(3)刻出多个加热电阻层；所述步骤S2包括如下步骤步骤S201：在第一层金属薄膜(3)上淀积一层氮化硅薄膜(4)；步骤S202：刻蚀氮化硅薄膜(4)，开出第一接触孔(7)，第一接触孔(7)暴露出第一层金属薄膜(3)；步骤S203：在氮化硅薄膜(4)上淀积第二层金属薄膜(5)，第二层金属薄膜(5)通过第一接触孔(7)与第一层金属薄膜(3)连接；步骤S204：在第二层金属薄膜(5)上淀积第三层金属薄膜(6)；步骤S205：在第三层金属薄膜(6)刻蚀出第一凹槽(8)，第一凹槽(8)的槽底为第二层金属薄膜(5)；步骤S206：在第一凹槽(8)中把第二层金属薄膜(5)刻蚀出第二凹槽(9)，第二凹槽(9)的槽底为氮化硅薄膜(4)；步骤S207：在第二层金属薄膜(5)和第三层金属薄膜(6)上淀积第二层氧化硅SiO2薄膜(10)；步骤S208：在第二层氧化硅SiO2薄膜(10)上涂布光刻胶(111)，在第二凹槽(9)中光刻出第二接触孔(121)，并刻蚀掉第二接触孔(121)下的第二层氧化硅SiO2薄膜(10)；步骤S209：在光刻胶(111)上和第二接触孔(121)上淀积第一种金属氧化物薄膜(131)；步骤S210：去除光刻胶(111)以剥离光刻胶(111)上面的第一种金属氧化物薄膜(131)，所述第二接触孔(121)上的气敏金属氧化物薄膜(131)形成第一个气敏电阻，所述第一种气敏电阻的两端分别通过第二层金属薄膜(5)连接到第三层金属薄膜(6)。