[发明专利]3T像素结构及液晶显示装置在审
| 申请号： | 201610339274.2 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN105807520A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 姜祥卫 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1333;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种3T像素结构及液晶显示装置，该3T像素结构包括：一基板，其上形成有下公共电极以及扫描线；第一绝缘层，其设置于该下公共电极、扫描线以及基板上；电荷共享薄膜晶体管，其具有源极、漏极以及栅极，该电荷共享薄膜晶体管的源极、漏极均设置于该第一绝缘层上；数据线，其设置于该第一绝缘层上；第二绝缘层，其设置于数据线以及所述第一绝缘层上；上公共电极，其设置于第二绝缘层上；第二绝缘层上开设有源极通孔，上公共电极通过源极通孔与第一源极接触并电连接。本发明将电荷共享薄膜晶体管的源极直接与上公共电极通过该第二绝缘层上的源极通孔电连接，从而避免在像素结构内出现深孔与浅孔的交叠，从而增大了开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 液晶 显示装置 | ||
【主权项】：
一种3T像素结构，其特征在于，包括：一基板，其上形成有下公共电极以及扫描线；第一绝缘层，其设置于该下公共电极、扫描线以及基板上；电荷共享薄膜晶体管，其具有源极、漏极以及栅极，该电荷共享薄膜晶体管的源极、漏极均设置于该第一绝缘层上；数据线，其设置于该第一绝缘层上；第二绝缘层，其设置于电荷共享薄膜晶体管的源极和漏极、数据线以及所述第一绝缘层上；上公共电极，其设置于所述第二绝缘层上；所述第二绝缘层上开设有源极通孔，所述上公共电极通过所述源极通孔与所述第一源极接触并电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610339274.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
