[发明专利]一种具有复合电子阻挡层结构的紫外发光二极管

摘要

本发明公开了一种具有复合电子阻挡层结构的紫外发光二极管，该发光二极管自下而上依次包括衬底(101)、低温AlN成核层(102)、高温AlN缓冲层(103)、n型AlGaN层(104)、Al_xGa_1‑xN/Al_yGa_1‑yN多量子阱有源区(105)、由p‑Al_sIn_tGa_1‑s‑tN层(1061)和p‑Al_zGa_1‑zN层(1062)组成的p‑AlsIntGa1‑s‑tN/p‑AlzGa1‑zN复合电子阻挡层(106)。本发明可解决传统的电子阻挡层结构在最后一个量子阱势垒和电子阻挡层之间会形成寄生电子反型层的问题。

主权项

1.一种具有复合电子阻挡层结构的紫外发光二极管，其特征在于：该发光二极管自下而上依次包括衬底(101)、低温AlN成核层(102)、高温AlN缓冲层(103)、n型AlGaN层(104)、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区(105)、由p‑AlsIntGa1‑s‑tN层(1061)和p‑AlzGa1‑zN层(1062)组成的p‑AlsIntGa1‑s‑tN/p‑AlzGa1‑zN复合电子阻挡层(106)，其中z＞y＞x，0≤s，t≤1，z代表p‑AlzGa1‑zN层中Al组分的高低，y代表量子阱势垒AlyGa1‑yN层中Al组分的高低，x代表量子阱AlxGa1‑xN层中Al组分的高低，s代表p‑AlsIntGa1‑s‑tN层中Al组分的高低，t代表p‑AlsIntGa1‑s‑tN层中In组分的高低；p型AlGaN层(107)，p型GaN欧姆接触层(108)，在p型GaN欧姆接触层(108)上引出的p型欧姆电极(109)，在n型AlGaN层(104)上引出的n型欧姆电极(110)；所述p‑AlsIntGa1‑s‑tN/p‑AlzGa1‑zN复合电子阻挡层(106)的厚度在10～100nm之间；禁带宽度Eg(AlyGa1‑yN)＜Eg(AlsIntGa1‑s‑tN)＜Eg(AlzGa1‑zN)；所述p‑AlsIntGa1‑s‑tN/p‑AlzGa1‑zN复合电子阻挡层(106)中p‑AlsIntGa1‑s‑tN层(1061)中Al，In，Ga组分是渐变的或均匀的，相应地，其禁带宽度是递增/递减的或者不变的；p‑AlzGa1‑zN(1062)中Al和Ga组分也是渐变的或均匀的，相应地，其禁带宽度是递增/递减的或者不变的；所述p‑AlsIntGa1‑s‑tN/p‑AlzGa1‑zN复合电子阻挡层(106)设置在AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源区(105)之上或者替代有源区的多量子阱中最后一个量子阱势垒。