[发明专利]一种TEM样品的制备方法在审
| 申请号： | 201610326226.X | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN105806679A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈强;陈胜 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种TEM样品的制备方法，包括：步骤S1：提供样品，样品之硅基衬底上设置金属层与低介电常数材料之组合层，且硅基衬底上设置的金属层已完成化学机械研磨；步骤S2：在样品的目标区域之表面涂覆有机材料层；步骤S3：对有机材料层进行减薄工艺处理；步骤S4：在有机材料层经减薄工艺处理后之样品的目标区域沉积金属保护层；步骤S5：对样品进行减薄工艺处理，以完成TEM样品制备。本发明通过在已完成化学机械研磨的目标区域上涂覆有机材料层，并进行减薄工艺处理，随后沉积金属保护层，完成TEM样品的制备，不仅操作简单、使用方便，而且可以获得完好无损、清晰的样品之表面形貌信息，值得推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种TEM样品的制备方法，其特征在于，所述TEM样品的制备方法，包括：执行步骤S1：提供样品，所述样品之硅基衬底上设置金属层与低介电常数材料之组合层，且所述硅基衬底上设置的金属层已完成化学机械研磨；执行步骤S2：在所述样品的目标区域之表面涂覆有机材料层；执行步骤S3：对所述有机材料层进行减薄工艺处理；执行步骤S4：在所述有机材料层经减薄工艺处理后之样品的目标区域沉积金属保护层；执行步骤S5：对样品进行减薄工艺处理，以完成所述TEM样品制备。
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